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UJ3C065080T3S - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220 - UNITEDSIC
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UJ3C065080T3S - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220 - UNITEDSIC

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UNITEDSICUGS :UJ3C065080T3S Code de commande:4014259
Prix:
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Description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 31A
  • Drain Source On State Resistance: 0.08ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 650V
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 5V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • No. of Pins: 3Pins
  • On Resistance Rds(on): 0.08ohm
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 190W
  • Power Dissipation Pd: 190W
  • Product Range: PW Series
  • Rds(on) Test Voltage: 12V
  • Transistor Case Style: TO-220
  • Transistor Polarity: N Channel

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