GAN063-650WSAQ - Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Through Hole - NEXPERIA

NEXPERIAUGS :GAN063-650WSAQ Code de commande:3106435

Prix:
Prix promotionnel€21,21

incl. T.V.A. Calcul des frais d'expédition à la caisse

Stock:
En stock (14 unité)

Documenten en downloads

Description

  • Continuous Drain Current Id: 34.5A
  • Drain Source On State Resistance: 0.06ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 650V
  • No. of Pins: 3Pins
  • On Resistance Rds(on) Max: 0.06ohm
  • Product Range: -
  • Qualification: AEC-Q101
  • Transistor Case Style: TP-247
  • Transistor Mounting: Through Hole
  • Typical Gate Charge: 15nC

Frais de port prévus

Tu pourrais aussi aimer