SIHD180N60E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount - VISHAY

VISHAYSKU:SIHD180N60E-GE3 Bestelcode:3019079

Prijs:
Actieprijs€6,14

Incl. BTW Verzendkosten berekening bij het afrekenen

Voorraad:
Op voorraad (1985 units)

Documenten en downloads

Omschrijving

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 19A
  • Drain Source On State Resistance: 0.17ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 600V
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 5V
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • No. of Pins: 3Pins
  • On Resistance Rds(on): 0.17ohm
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Power Dissipation: 156W
  • Power Dissipation Pd: 156W
  • Product Range: E
  • Qualification: -
  • Rds(on) Test Voltage: 10V
  • Transistor Case Style: TO-252 (DPAK)
  • Transistor Mounting: Surface Mount
  • Transistor Polarity: N Channel

Verwachte verzendkosten

Bekijk ook eens